Гидравлическое оборудование

Фотоэлектрические датчики SICK W4

Производитель: SICK
Арт: W4
Внимание! Наличие и актуальную стоимость товара просим уточнять у консультанта
Семёнов Игорь

Есть вопросы? Спросите инженера

Информация о товаре
Документация
Фотоэлектрические датчики SICK W4.

Миниатюрные фотоэлектрические датчики и фотоэлектрические датчики приближения W4 — идеальное решение для интеллектуальной автоматизации промышленных процессов. Мощные датчики в миниатюрном корпусе надежно обнаруживают блестящие, плоские, неровные, перфорированные и прозрачные объекты и определяют широкий спектр параметров, таких как значения ремиссии и расстояния. Благодаря выбору различных конструкций, материалов корпуса и источников света датчики хорошо подходят для бесчисленных применений и практически для любой ситуации сборки. Профиль дополняется интуитивно понятной концепцией управления и интеллектуальными диагностическими функциями.
Интеллектуальная работа датчика практически для любого применения. Корпус доступен в «тонком» или «плоском» исполнении. Опционально с корпусом VISTAL или из нержавеющей стали. Источник света: красный лазерный свет, инфракрасный свет или светодиод PinPoint. Интеллектуальные датчики с инновационными функциями мониторинга и диагностики. Интуитивная концепция управления.

Технические характеристики

  • Артикул: W4
Оплата

Оплата осуществляется по безналичному расчету. Оформляем полный пакет документов - Счет, Товарная накладная, Договор и Спецификации.

Способы доставки

Мы работаем с любым видом и способом доставки, который удобен покупателю. Используем проверенные транспортные компании.

Транспортные компании

Деловые линии, CDEK, DIMEX. Можем отправить продукцию и другой, удобной для вас службой.

Возможно, Вас заинтересуют:

Передатчик барьерного фотоэлектрического датчика IFM O6S200
  • Модель

    O6S-OOKG

  • Напряжение питания, В

    10...30 DC

  • Питание

    DC

  • Потребление тока

    11; ((24 V)) мА

  • Применение

    промышленное применение

  • Соединение

    Кабель: 2 m, PUR; 2 x 0.25 mm²

  • Степень защиты

    IP 65; IP 67

  • Температура эксплуатации Max, °C

    60

  • Температура эксплуатации Min, °C

    -25

Передатчик барьерного фотоэлектрического датчика IFM O6S200
Фотоэлектрический датчик Carlo Gavazzi PC50CND10RP
  • Питание

    12–240 В

Фотоэлектрический датчик Carlo Gavazzi PC50CND10RP
Фотоэлектрические датчики SICK PowerProx
Фотоэлектрические датчики SICK PowerProx
Передатчик барьерного фотоэлектрического датчика IFM O6S300
  • Модель

    O6S-OOKG

  • Название файла PDF (1)

    Технический паспорт IFM O6S300

  • Напряжение питания, В

    10...30 DC

  • Питание

    DC

  • Потребление тока

    11; ((24 V)) мА

  • Соединение

    Кабель: 2 m, PVC; 2 x 0.25 mm²

  • Степень защиты

    IP 65; IP 67; IP 68; IP 69K

  • Температура эксплуатации Max, °C

    80

  • Температура эксплуатации Min, °C

    -25

Передатчик барьерного фотоэлектрического датчика IFM O6S300
Рефлекторный фотоэлектрический датчик IFM OF5016
  • Модель

    OFR-FPKG/US-100

  • Название файла PDF (1)

    Технический паспорт IFM OF5016

  • Напряжение питания, В

    10...36 DC

  • Особенности

    Выход контроля функционирования

  • Питание

    DC

  • Потребление тока

    < 35 мА

  • Применение

    промышленное применение

  • Размер цилиндрического корпуса, мм

    M12 x 1

  • Резьба разъема

    M12

  • Соединение

    1 x M12Кодировка: A; контакты: 4

  • Степень защиты

    IP 65

  • Температура эксплуатации Max, °C

    60

  • Температура эксплуатации Min, °C

    -25

Рефлекторный фотоэлектрический датчик IFM OF5016
Диффузионный оптический датчик IFM Electronic OJ5078
  • Напряжение питания, В

    10…30 DC

  • Степень защиты

    IP 67

Диффузионный оптический датчик IFM Electronic OJ5078
Диффузный фотоэлектрический датчик с подавлением фона IFM OGH312
  • Модель

    OGH-FPKG/US100

  • Название файла PDF (1)

    Технический паспорт IFM OGH312

  • Напряжение питания, В

    10...36 DC

  • Особенности

    Подавление фона

  • Питание

    DC

  • Потребление тока

    25 мА

  • Размер цилиндрического корпуса, мм

    M18 x 1

  • Резьба разъема

    M12

  • Соединение

    1 x M12Кодировка: A; контакты: 4

  • Степень защиты

    IP 65; IP 67; IP 68; IP 69K

  • Температура эксплуатации Max, °C

    80

  • Температура эксплуатации Min, °C

    -25

Диффузный фотоэлектрический датчик с подавлением фона IFM OGH312
Фотоэлектрические датчики SICK RAY26 Reflex Array
Фотоэлектрические датчики SICK RAY26 Reflex Array