Гидравлическое оборудование

Фотоэлектрический датчик SICK WTB2S-2P3130

Производитель: SICK
Арт: WTB2S-2P3130
Гарантия: от 12 месяцев
Внимание! Наличие и актуальную стоимость товара просим уточнять у консультанта
Семёнов Игорь

Есть вопросы? Спросите инженера

Информация о товаре
Фотоэлектрический датчик SICK WTB2S-2P3130

Компактное устройство, предназначенное для точного обнаружения объектов на малых расстояниях в условиях ограниченного пространства. Он использует принцип диффузного отражения с подавлением заднего фона, обеспечивая надежную работу даже при наличии близко расположенных поверхностей. Вид излучения: Видимый красный свет.

Технические характеристики

  • Гарантия: от 12 месяцев
  • Артикул: WTB2S-2P3130
  • Частота переключения, Гц: 1200 Гц
  • Тип выходного сигнала: PNP
  • Температура эксплуатации, °C: -25…+50 °C
  • Степень защиты: IP67
  • Резьба разъема: M8
  • Напряжение питания, В: 10 ... 30 В DC
  • Материал корпуса: Пластик, ABS/PC
  • Длина кабеля, м: 0,2 м
  • Время отклика, мс: < 0,4 мс
Оплата

Оплата осуществляется по безналичному расчету. Оформляем полный пакет документов - Счет, Товарная накладная, Договор и Спецификации.

Способы доставки

Мы работаем с любым видом и способом доставки, который удобен покупателю. Используем проверенные транспортные компании.

Транспортные компании

Деловые линии, CDEK, DIMEX. Можем отправить продукцию и другой, удобной для вас службой.

Возможно, Вас заинтересуют:

Передатчик лазерного барьерного датчика IFM OJ5141
  • Модель

    OJSLOOKG/SO/AS

  • Название файла PDF (1)

    Технический паспорт IFM OJ5141

  • Напряжение питания, В

    10...30 DC

  • Питание

    DC

  • Потребление тока

    &lt; 12 мА

  • Резьба разъема

    M8

  • Соединение

    1 x M8Кодировка: A; контакты: 4

  • Степень защиты

    IP 67

  • Температура эксплуатации Max, °C

    60

  • Температура эксплуатации Min, °C

    -10

Передатчик лазерного барьерного датчика IFM OJ5141
Рефлекторный фотоэлектрический датчик IFM OG5125
  • Модель

    OGP-HPKG/US/90°

  • Напряжение питания, В

    10...30 DC; (cULus – требуется источник питания класса 2)

  • Питание

    DC

  • Потребление тока

    &lt; 22 мА

  • Применение

    промышленное применение

  • Размер цилиндрического корпуса, мм

    M18 x 1

  • Резьба разъема

    M12

  • Соединение

    1 x M12Кодировка: A; контакты: 4

  • Степень защиты

    IP 68

  • Температура эксплуатации Max, °C

    60

  • Температура эксплуатации Min, °C

    -25

Рефлекторный фотоэлектрический датчик IFM OG5125
Передатчик барьерного фотоэлектрического датчика IFM O6S200
  • Модель

    O6S-OOKG

  • Напряжение питания, В

    10...30 DC

  • Питание

    DC

  • Потребление тока

    11; ((24 V)) мА

  • Применение

    промышленное применение

  • Соединение

    Кабель: 2 m, PUR; 2 x 0.25 mm²

  • Степень защиты

    IP 65; IP 67

  • Температура эксплуатации Max, °C

    60

  • Температура эксплуатации Min, °C

    -25

Передатчик барьерного фотоэлектрического датчика IFM O6S200
Передатчик барьерного фотоэлектрического датчика IFM OJ5011
  • Модель

    OJS-OOKG/FO

  • Название файла PDF (1)

    Технический паспорт IFM OJ5011

  • Напряжение питания, В

    10...30 DC

  • Питание

    DC

  • Потребление тока

    &lt; 19 мА

  • Применение

    промышленное применение

  • Соединение

    Кабель: 2 m, PVC; 2 x 0.14 mm²

  • Степень защиты

    IP 67

  • Температура эксплуатации Max, °C

    60

  • Температура эксплуатации Min, °C

    -25

Передатчик барьерного фотоэлектрического датчика IFM OJ5011
Фотоэлектрические датчики SICK G2
Фотоэлектрические датчики SICK G2
Диффузный фотоэлектрический датчик с подавлением фона IFM OGH312
  • Модель

    OGH-FPKG/US100

  • Название файла PDF (1)

    Технический паспорт IFM OGH312

  • Напряжение питания, В

    10...36 DC

  • Особенности

    Подавление фона

  • Питание

    DC

  • Потребление тока

    25 мА

  • Размер цилиндрического корпуса, мм

    M18 x 1

  • Резьба разъема

    M12

  • Соединение

    1 x M12Кодировка: A; контакты: 4

  • Степень защиты

    IP 65; IP 67; IP 68; IP 69K

  • Температура эксплуатации Max, °C

    80

  • Температура эксплуатации Min, °C

    -25

Диффузный фотоэлектрический датчик с подавлением фона IFM OGH312
Приёмник барьерного фотоэлектрического датчика IFM O6E301
  • Модель

    O6E-FPKG/0,30m/US

  • Напряжение питания, В

    10...30 DC

  • Питание

    DC

  • Потребление тока

    7; ((24 V)) мА

  • Резьба разъема

    M12

  • Соединение

    Кабель: 0.3 m, PVC; 3 x 0.25 mm² 1 x M12Кодировка: A; контакты: 4

  • Степень защиты

    IP 65; IP 67; IP 68; IP 69K

  • Температура эксплуатации Max, °C

    80

  • Температура эксплуатации Min, °C

    -25

Приёмник барьерного фотоэлектрического датчика IFM O6E301
Рефлекторный фотоэлектрический датчик IFM O6P303
  • Модель

    O6P-FPKG/AS/4P

  • Напряжение питания, В

    10...30 DC

  • Питание

    DC

  • Потребление тока

    12; ((24 V)) мА

  • Резьба разъема

    M8

  • Соединение

    1 x M8Кодировка: A; контакты: 4

  • Степень защиты

    IP 65; IP 67; IP 68; IP 69K

  • Температура эксплуатации Max, °C

    80

  • Температура эксплуатации Min, °C

    -25

Рефлекторный фотоэлектрический датчик IFM O6P303